參數(shù)資料
型號(hào)： MJ14001.MOD
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 70 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
封裝： HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 11K
代理商： MJ14001.MOD
MJ14001
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CEO*
60
V
I
C(CONT)
70
A
h
FE
@ 50/15 (V
CE / IC)
-
f
t
Hz
P
D
300
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Generated
1-Aug-02
TO3 (TO204AE)
PINOUTS
1 – Base
2 – Emitter
Case - Collector
Bipolar PNP Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail: sales@semelab.co.uk
Website: http://www.semelab.co.uk
Dimensions in mm (inches).
12
3
(case)
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
38.
61
(
1
.5
2)
39.
12
(
1
.5
4)
29.
9
(
1
.177)
30.
4
(
1
.197)
16.
64
(
0
.655)
17.
15
(
0
.675)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
1.
47
(
0
.058)
1.
60
(
0
.063)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
22.
23
(0
.875)
ma
x
.
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ14002.MODR1 70 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
MJ14002R1 70 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
MJ14002.MOD 70 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
MJ14003G 60 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
MJ14003 60 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ14002 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ14002G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ14002G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MJ14003 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 80V 300W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ14003G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 80V 300W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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