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型號: | MIE-814A2 |
廠商: | Unity Opto Technology |
英文描述: | AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE |
中文描述: | 的AlGaAs /砷化鎵的T 1 3 / 4包裝紅外發(fā)光二極管 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 32K |
代理商: | MIE-814A2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MIE-824A4 | AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE |
MIE-824H2 | GaAlAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE |
MIE-824L3 | GaAs HIGH POWER T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE |
MIM-0KM1AKF | INFRARED RECEIVER MODULE |
MIM-0KM1AKL | INFRARED RECEIVER MODULE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MIE-824A4 | 制造商:UOT 制造商全稱:Unity Opto Technology 功能描述:AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE |
MIE-824H2 | 制造商:UOT 制造商全稱:Unity Opto Technology 功能描述:GaAlAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE |
MIE-824L3 | 制造商:UOT 制造商全稱:Unity Opto Technology 功能描述:GaAs HIGH POWER T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE |
MIEB100W1200TEH | 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MIEB101H1200EH | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
*型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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