參數(shù)資料
型號： MIE-824A4
廠商： Unity Opto Technology
英文描述： AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
中文描述： 的AlGaAs /砷化鎵的T 1 3 / 4包裝紅外發(fā)光二極管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： MIE-824A4
AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE
INFRARED EMITTING DIODE
Description
Package Dimensions
The MIE-824A4 is an infrared emitting diode utilizing
GaAs with AlGaAs window coation chip technology.
It is molded in water clear plastic package.
Features
l
High radiant power and high radiant intesity
l
Peak wavelength
λ
p
= 940 nm
l
Good spectral matching to si-photodetector
l
Radiant angle: 120°
Absolute Maximum Ratings
@ T
A
=25
o
C
Unit
Parameter
Maximum Rating
Power Dissipation
120
mW
Peak Forward Current
1
A
Continuous Forward Current
100
mA
Reverse Voltage
5
-55
o
C to +100
o
C
-55
o
C to +100
o
C
260
o
C for 5 seconds
V
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Lead Soldering Temperature
02/04/2002
Unity Opto Technology Co., Ltd.
Unit: inches
Notes :
1. Tolerance is ± 0.25 mm (.010") unless otherwise noted.
2. Protruded resin under flange is 1.5 mm (.059") max.
3. Lead spacing is measured where the leads emerge from the package.
A
C
2.54 NOM.
(.100)
SEE NOTE 3
SEE NOTE 2
φ
5.00
(.197)
1.00
(.039)
5.80
(.228)
0.50 TYP.
(.020)
1.00MIN.
(.039)
4.30
(.169)
23.40 MIN.
(.921)
FLAT DENOTES CATHODE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIE-824H2 GaAlAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
MIE-824L3 GaAs HIGH POWER T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
MIM-0KM1AKF INFRARED RECEIVER MODULE
MIM-0KM1AKL INFRARED RECEIVER MODULE
MIM-0KM2AKF INFRARED RECEIVER MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MIE-824H2 制造商:UOT 制造商全稱:Unity Opto Technology 功能描述:GaAlAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
MIE-824L3 制造商:UOT 制造商全稱:Unity Opto Technology 功能描述:GaAs HIGH POWER T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
MIEB100W1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIEB101H1200EH 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIEB101W1200EH 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*