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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MHVIC915NR2 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| 中文描述： | 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 506K |
| 代理商： | MHVIC915NR2 |
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12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MHVIC915NR2
Figure 21. Series Equivalent Input and Load Impedance —
Alternate Characterization for Driver/Pre-Driver Performance
f
MHz
Z
in
Ω
Z
load
Ω
750
765
780
43.5 - j13.4
42.7 - j14.2
42.9 - j13.9
4.7 + j41.5
5.5 + j43.8
6.0 + j43.7
V
DD
= 27 Vdc, I
DQ1
= 120 mA, I
DQ2
= 140 mA, P
out
= 0.5 W CW
Z
in
=
Device input impedance as measured from
RF input to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zin
Zload
Device
Under Test
Output
Matching
Network
795
810
825
42.3 - j15.9
44.5 - j10.5
42.7 - j16.0
6.8 + j42.8
7.5 + j42.2
7.8 + j40.5
840
855
870
45.5 - j7.0
45.0 - j4.5
45.0 - j6.5
7.2 + j39.2
6.3 + j38.4
6.4 + j38.7
885
900
915
46.0 - j1.5
49.5 + j7.3
48.3 + j2.4
7.9 + j38.5
9.3 + j36.8
9.4 + j35.3
f = 960 MHz
f = 750 MHz
Z
o
= 50
Ω
Z
in
Z
load
930
945
960
49.6 + j7.8
49.5 + j8.6
49.8 + j8.4
8.6 + j34.5
7.8 + j34.3
7.6 + j34.3
f = 960 MHz
f = 750 MHz
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