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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGFS45V2735 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-38, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 277K |
| 代理商： | MGFS45V2735 |
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGFS45V2735
2.7 - 3.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
TYPICAL CHARACTERISTICS
S parameters
( Ta=25deg.C , VDS=10(V),IDS=8(A) )
S-Parameter (TYP.)
f
S11
S21
S12
S22
(GHz)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
2.60
0.63
88
3.39
38
0.03
-17
0.59
26
2.70
0.58
47
3.90
3
0.04
-52
0.49
-1
2.80
0.51
1
4.30
-31
0.05
-86
0.41
-30
2.90
0.47
-51
4.52
-66
0.06
-122
0.32
-67
3.00
0.47
-105
4.51
-101
0.06
-157
0.27
-106
3.10
0.50
-152
4.33
-135
0.06
166
0.24
-137
3.20
0.51
166
4.15
-168
0.05
134
0.23
-165
3.30
0.49
123
4.04
159
0.06
100
0.21
174
3.40
0.45
61
3.92
117
0.06
49
0.15
149
3.50
0.48
-11
3.60
76
0.06
8
0.05
165
3.60
0.64
-75
2.86
33
0.05
-40
0.16
-115
June-'04
P1dB,GLP vs. f
41
42
43
44
45
46
47
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
FREQUENCY f (GHz)
OUTPUT
POWER
P1dB
(dBm)
10
12
14
16
18
20
22
LINEAR
POWER
GAIN
GLP
(dB)
VDS=10V
ID=8A
P1dB
GLP
Po,P.A.E. vs. Pin
25
30
35
40
45
50
15
20
25
30
35
40
INPUT POWER Pin (dBm)
OUTPUT
POWER
Po
(dBm)
0
20
40
60
80
100
VDS=10V
ID=8A
f=3.1GHz
Po
P.A.E.
111
POWER
ADDED
EFFICIENCY
P.A.E.
(%)
Po,IM3 vs. Pin
26
28
30
32
34
36
38
40
42
18
20
22
24
26
28
30
INPUT POWER Pin (dBm) S.C.L.
OUTPUT
POWER
Po
(dBm)
S.C.L.
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
IM3
Po
IM3
(dBc)
VDS=10V
IDS=8A
f=3.5GHz
Delta f=10MHz
2-tone test
MITSUBISHI
ELECTRIC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MGFS48V2527 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.5 - 2.7GHz BAND 60W GaAs FET |
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