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參數(shù)資料
| 型號： | MGFS45V2527A |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-51, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | MGFS45V2527A |
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGFS45V2527A
2.5 - 2.7GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
TYPICAL CHARACTERISTICS
S parameters
( Ta=25deg.C , VDS=10(V),IDS=6.5(A) )
S-Parameter (TYP.)
f
S11
S21
S12
S22
(GHz)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
2.40
0.34
-172
4.68
75
0.03
40
0.26
-48
2.42
0.35
-176
4.65
70
0.03
34
0.26
-53
2.44
0.37
177
4.63
64
0.03
26
0.24
-57
2.46
0.40
170
4.60
58
0.03
19
0.24
-65
2.48
0.41
163
4.56
52
0.03
14
0.22
-69
2.50
0.43
157
4.53
46
0.03
5
0.21
-79
2.52
0.43
151
4.51
40
0.03
-1
0.20
-81
2.54
0.44
145
4.49
34
0.04
-9
0.20
-86
2.56
0.45
139
4.47
28
0.03
-15
0.20
-91
2.58
0.45
134
4.44
22
0.04
-22
0.20
-97
2.60
0.45
128
4.43
16
0.04
-29
0.19
-104
2.62
0.45
122
4.42
10
0.04
-37
0.19
-108
2.64
0.44
116
4.41
4
0.04
-42
0.19
-113
2.66
0.44
110
4.40
-2
0.04
-50
0.19
-117
2.68
0.43
103
4.40
-8
0.04
-55
0.19
-120
2.70
0.42
96
4.39
-14
0.04
-62
0.18
-126
2.72
0.40
88
4.37
-21
0.04
-70
0.18
-128
2.74
0.39
80
4.37
-27
0.04
-74
0.17
-133
2.76
0.37
71
4.35
-34
0.04
-79
0.17
-136
2.78
0.36
61
4.34
-40
0.04
-88
0.16
-138
2.80
0.34
50
4.32
-47
0.04
-95
0.16
-141
June-'04
15
20
25
30
35
40
45
50
INPUT POWER (dBm)
OUTPUT
POWER
Pou
t(dB
m)
0
10
20
30
40
50
60
70
POWER
ADDED
EFFICIENCY
P
.A.E.
(
%)
Po , P.A.E. vs. Pin
Pout
P.A.E.
VDS=10 (V)
IDS=6.5(A)
f=2.6 (GHz)
15
20
25
30
35
41
42
43
44
45
46
2.45
2.5
2.55
2.6
2.65
2.7
2.75
FREQUENCY f (GHz)
OUTPUT
POWER
P1dB
(dBm)
11
12
13
14
15
16
LI
NEAR
POWER
GAIN
GLP
(dB)
P1dB
GLP
P1dB,GLP vs. f
VDS=10(V)
IDS=6.5(A)
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
INPUT POWER Pin (dBm S.C.L.)
OUTPUT
POWER
Po
(dBm
S.C.L.)
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
IM3
(dBc)
Po,IM3 vs. Pin
VDS=10(V)
IDS=6.5(A)
f1=2.700(GHz)
f2=2.705(GHz)
Po
IM3
MITSUBISHI
ELECTRIC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFS45V2735 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGFS48B2122 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGFS45V2527A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.7-3.5 GHz BAND / 30W |
| MGFS45V2735 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.7 - 3.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFS45V2735_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.7 - 3.5GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFS45V2735_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.7-3.5 GHz BAND / 30W |
| MGFS48B2122 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:2.11 - 2.17 GHz BAND 60W GaAs FET |
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