參數(shù)資料
型號(hào)： MGF4952A
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： K BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 181K
代理商： MGF4952A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR
<GaAs FET>
MGF4951A/MGF4952A
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package)
MITSUBISHI
(4/5)
June/2004
S PARAMETERS
(Ta=25
°C,VDS=2V,ID=10mA)
NOISE PARAMETERS
(Ta=25
°C,VDS=2V,ID=10mA)
Note) Rn is normalized by 50-ohm
Reference Point
Gate
Drain
Source
f
Ganma-opt
Rn
NF
(GHz)
Magn.
Angle
(ohm)
(dB)
4.0
0.64
49.7
0.21
8.0
0.61
100.5
0.12
0.31
12.0
0.55
143.4
0.04
0.45
14.0
0.51
158.9
0.03
0.52
18.0
0.41
172.5
0.06
0.66
f
S11
S21
S12
S22
(GHz)
Magn.
Angle
Magn.
Angle
Magn.
Angle
Magn.
Angle
1.0
0.978
-14.5
4.800
163.6
0.019
78.3
0.525
-13.5
2.0
0.930
-26.3
4.857
152.8
0.037
72.5
0.513
-22.5
3.0
0.884
-43.8
4.702
133.4
0.053
59.5
0.491
-37.6
4.0
0.818
-59.6
4.514
119.5
0.066
51.1
0.458
-47.5
5.0
0.768
-71.1
4.224
108.2
0.076
44.7
0.449
-54.6
6.0
0.722
-80.2
4.008
98.9
0.084
40.1
0.444
-58.7
7.0
0.681
-88.9
3.841
89.8
0.092
36.6
0.439
-61.2
8.0
0.652
-100.4
3.681
45.6
0.099
27.8
0.440
-68.2
9.0
0.627
-17.3
3.540
66.6
0.108
24.0
0.444
-70.2
10.0
0.593
-114.4
3.476
57.5
0.117
21.3
0.442
-72.3
11.0
0.542
-123.2
3.474
47.7
0.130
15.6
0.418
-76.0
12.0
0.475
-133.8
3.487
37.0
0.142
9.6
0.380
-78.3
13.0
0.406
-148.6
3.458
25.5
0.153
2.4
0.326
-82.4
14.0
0.333
-178.7
3.415
7.5
0.162
-11.0
0.234
-90.5
15.0
0.298
147.3
3.309
-5.6
0.172
-20.2
0.132
-83.7
16.0
0.338
110.1
3.150
-20.1
0.175
-30.0
0.068
-20.3
17.0
0.443
81.5
2.965
-34.2
0.176
-39.6
0.169
25.0
18.0
0.564
60.0
2.670
-48.8
0.171
-50.4
0.301
26.1
19.0
0.675
44.4
2.323
-62.6
0.159
-60.0
0.431
21.3
20.0
0.763
32.1
2.030
-74.2
0.146
-69.4
0.537
15.7
21.0
0.846
18.5
1.714
-90.8
0.133
-80.3
0.612
4.5
22.0
0.892
8.8
1.457
-101.1
0.119
-86.8
0.684
1.2
23.0
0.912
1.4
1.233
-109.9
0.104
-92.2
0.749
-2.5
24.0
0.927
-4.8
1.026
-118.4
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-95.3
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25.0
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0.864
-124.7
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-98.0
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26.0
0.933
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-100.6
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-8.6
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