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參數(shù)資料
| 型號： | MGF1954A |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, P-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| 封裝： | LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | MGF1954A |
MITSUBISHI SEMICONDUTOR
<GaAs FET>
MGF1954A
Microwave Power MES FET
(Leadless Ceramic Package)
MITSUBISHI
(3/5)
Aug. /2004
Aug./2004
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25
°C)
Po vs. Pin
5
10
15
20
25
30
05
10
152025
Pin (dBm)
Po
(
d
B
m
)
Po
(
d
B
m
)
Po
(
d
B
m
)
Po
(
d
B
m
)
Ta=2 5 de g.C
VDS = 6 V
ID= 1 00 mA
f= 1 2GHz
ID vs. VDS
0
50
100
150
200
250
300
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS(V)
DRA
IN
CURRE
NT
ID
(m
A
)
Ta=25deg.C
VGS=-0.2V/STEP
VGS=0V
ID vs. VGS
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
GATE TO SOURCE VOLTAGE
VGS(V)
DR
A
IN
CURR
E
N
T
ID
(m
A
)
Ta=25deg.C
VDS=6V
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