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參數(shù)資料
| 型號： | MGF1952A-01 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| 封裝： | LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 28K |
| 代理商： | MGF1952A-01 |
MITSUBISHI SEMICONDUTOR <GaAs FET>
MGF1952A
Medium Power Microwave MESFET
MITSUBISHI
1 Aug 2002
(3/4)
PRELIMINARY
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta=+25°C)
DRAIN CURRENT vs DRAIN VOLTAGE
Dr
ain
C
u
rr
ent
I
D
(m
A
)
OUTPUT POWER vs INPUT POWER
25
20
15
10
5
0
-5
0
5
10
15
Input Power Pin (dBm)
O
u
tput
Pow
e
r
P
out
(d
B
m
)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
2
3
4
Drain to Source Voltage VDS (V)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
Gate to Source Voltage VGS (V)
Dr
ain
C
u
rr
ent
I
D
(m
A
)
DRAIN CURRENT vs GATE VOLTAGE
-0.2V/step
VGS=0V
VDS=3V
ID=60mA
f=12GHz
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PDF描述 |
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