參數(shù)資料
型號(hào)： MG600Q1US65H
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109F1A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 195K
代理商： MG600Q1US65H
MG600Q1US65H
2003-12-19
4
S
w
itc
hin
g
los
s
(
m
J)
Switc
hi
n
gti
me
(
s)
Collector current IC (A)
Switching time – IC
Switc
h
in
g
tim
e
(
s)
Collector current IC (A)
Switching time – IC
Switc
h
in
g
tim
e
(
s)
Gate resistance RG ()
Switching time – RG
Switc
h
in
g
tim
e
(
s)
Gate resistance RG ()
Switching time – RG
Collector current IC (A)
Switching loss – IC
Gate resistance RG ()
Switching loss – RG
S
w
itc
hin
g
los
s
(
m
J)
0.01
10
0.1
1
100
1000
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
ton
td (on)
tr
Common emitter
VCC = 600 V
VGE = ±15 V
Rg
= 2.0
0.01
0.1
10
1000
100
1
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
toff
td (off)
tf
Common emitter
VCC = 600 V
VGE = ±15 V
Rg
= 2.0
0.01
1
0.1
1
10
100
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
ton
td (on)
tr
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 600 A
VGE = ±15 V
0.1
1
10
100
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 600 A
VGE = ±15 V
toff
td (off)
tf
1
10
100
1000
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
Eon
Common emitter
VCC = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 2.0
Eoff
Edsw
1
10
1000
1
100
10
100
: Tc
= 25°C
: Tc
= 125°C
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 600 A
VGE = ±15 V
Eon
Eoff
Edsw
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG75H1BS1 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1BS11 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1BS11 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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