參數(shù)資料
型號： MG600Q1US65H
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109F1A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 195K
代理商： MG600Q1US65H
MG600Q1US65H
2003-12-19
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
I
C
(
A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Col
lect
or
-e
m
itte
rv
olt
a
ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Col
lect
or
-e
m
itte
rv
olt
a
ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
IC – VGE
Col
lect
or
cur
re
nt
I C
(A
)
Forward voltage VF (V)
IF – VF
F
o
rw
ar
d
cu
rr
en
t
I
F
(A)
0
4
8
12
16
4
8
12
16
20
Common emitter
Tc
= 125°C
IC = 1200 A
300 A
600 A
12 V
0
300
600
900
1200
2
4
6
8
10
Common emitter
Tc
= 25°C
VGE = 8 V
PC = 5400 W
10 V
20 V
18 V
15 V
0
300
600
900
1200
2
4
6
8
10
VGE = 8 V
10 V
12 V
20 V
18 V
15 V
Common emitter
Tc
= 125°C
0
4
8
12
16
4
8
12
16
20
Common emitter
Tc
= 25°C
IC = 1200 A
300 A
600 A
0
300
600
900
1200
4
8
12
16
Common emitter
VCE = 5 V
Tc
= 125°C
40°C
25°C
0
200
600
1000
1200
1
2
3
4
Tc
= 125°C
25°C
Common cathode
VGE = 0
400
800
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PDF描述
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG75H1BS1 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1BS11 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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