參數(shù)資料
型號(hào)： MG600Q1US61
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109F1A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 390K
代理商： MG600Q1US61
MG600Q1US61
2002-10-04
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
e
nt
I C
(A
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Co
lle
ct
or
-e
m
itte
r
vo
lta
ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Co
lle
ct
or
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m
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vo
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ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE – VGE
Co
lle
ct
or
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r
vo
lta
ge
V
CE
(V
)
Gate-emitter voltage VGE (V)
IC – VGE
Co
lle
ct
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cu
rr
e
nt
I C
(A
)
0
5
10
15
20
2
4
6
8
10
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Common emitter
Tj = 25°C
IC = 300 A
900
600
0
5
10
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20
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4
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8
10
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Common emitter
Tj = 125°C
600
IC = 300 A
900
500
400
300
200
100
0
2
4
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10
Common
emitter
Tj = 25°C
600
700
800
20
15
10
VGE = 9 V
12
900
500
400
300
200
100
0
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8
10
Common
emitter
Tj = 25°C
600
700
800
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VGE = 9 V
12
0
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10
15
20
2
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Common emitter
Tj = 40°C
900
IC = 300 A
600
900
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400
300
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0
600
700
800
Common emitter
VCE = 5 V
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12
Tj = 125°C
25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US65H 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG75H1BS1 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1BS11 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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MG61D 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:SOLID STATE INDICATORS ARE ENCAPSULATED IN RECTANGULAR EPOXY PACKAGE
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MG6330-R 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSAUDIONPN260V15ATO-3P 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P 制造商:SEMELAB 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:260V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
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