參數(shù)資料
型號(hào)： MG600Q1US61
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109F1A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 390K
代理商： MG600Q1US61
MG600Q1US61
2002-10-04
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US61
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed: tf = 0.3 s (max)
Inductive load
Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.6 V (max)
The electrodes are isolated from case.
Enhancement-mode
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Tc
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
Collector current
DC (Tc
= 80°C)
IC
600
A
Forward current
DC (Tc
= 80°C)
IF
600
A
Collector power dissipation
(Tc
= 25°C)
PC
5400
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 to 125
°C
Isolation voltage
Visol
2500
(AC 1 minute)
Vrms
Terminal
3
Nm
Screw torque
Mounting
3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109F1A
Weight: 465 g (typ.)
G
E
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US65H 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG75H1BS1 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1BS11 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG600Q2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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