參數(shù)資料
型號(hào)： MG600Q1US51
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-109F3A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： MG600Q1US51
MG600Q1US51
2003-12-16
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US51
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed: tf = 0.3s (max)
@Inductive load
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 3.6V (max)
Enhancement-mode
Includes a complete half bridge in onepackage.
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
600
A
Collector current
1ms
ICP
1200
A
DC
IF
600
A
Forward current
1ms
IFM
1200
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
4100
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 minute)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109F3A
Weight: 465 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US61 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q1US65H 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG600Q2YS60A 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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