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參數(shù)資料
| 型號： | MG50Q1BS11 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-33D2A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | MG50Q1BS11 |
MG50Q1BS11
2003-04-11
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
IGES
VGE = ±20V, VCE = 0
―
±500
nA
Collector cut-off current
ICES
VCE = 1200V, VGE = 0
―
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
VGE (OFF)
IC = 50mA, VCE = 5V
3.0
―
6.0
V
Collector-emitter
saturation voltage
VCE (sat)
IC = 50A, VGE = 15V
―
2.2
2.7
V
Input capacitance
Cies
VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz
―
7800
―
pF
Rise time
tr
―
0.3
0.6
Turn-on time
ton
―
0.4
0.8
Fall time
tf
―
0.6
1.0
Switching time
Turn-off time
toff
―
1.2
1.8
s
Thermal resistance
Rth (j-c)
―
0.39
°C / W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG50Q1ZS50 | 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50Q2YK1 | 50 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG50Q2YS40 | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50Q2YS50A | 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50Q2YS50 | 78 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG50Q1ZS50 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG50Q2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG50Q2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG50Q2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG50Q2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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