參數(shù)資料
型號(hào): MG25Q1BS11
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: 2-33D2A, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
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代理商: MG25Q1BS11
MG25Q1BS11
2003-04-11
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
IGES
VGE = ±20V, VCE = 0
±500
nA
Collector cut-off current
ICES
VCE = 1200V, VGE = 0
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
VGE (OFF)
IC = 25mA, VCE = 5V
3.0
6.0
V
Collector-emitter
Saturation voltage
VCE (sat)
IC = 25A, VGE = 15V
2.2
2.7
V
Input capacitance
Cies
VCE = 10V, VGE = 0, f=1MHz
3000
pF
Rise time
tr
0.3
0.6
Turn-on time
ton
0.4
0.8
Fall time
tf
0.6
1.0
Switching time
Turn-off time
toff
1.2
1.8
s
Thermal resistance
Rth (j-c)
0.5
°C / W
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