參數(shù)資料
型號(hào)： MG25Q1BS11
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-33D2A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 178K
代理商： MG25Q1BS11
MG25Q1BS11
2003-04-11
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N - Channel IGBT
MG25Q1BS11
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
l Enhancement-mode
l The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
25
Collector current
1ms
ICP
50
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
250
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature Range
Tstg
40 to 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 Minute)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
2 / 3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-33D2A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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