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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG200Q1US41 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-109A4A, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 413K |
| 代理商： | MG200Q1US41 |
MG200Q1US41
2001-04-16
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG200Q1US41
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed : tf = 0.5s (Max.)
trr = 0.5s (Max.)
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 4.0V (Max.)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
200
Collector current
1ms
ICP
400
A
DC
IF
200
Forward current
1ms
IFM
400
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
1400
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500 (AC, 1 min.)
V
Screw torque (Terminal : M4/M6 / mounting)
―
2 / 3 / 3
Nm
JEDEC
―
EIAJ
―
TOSHIBA
2-109A4A
Weight: 465g
Unit: mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG200Q1US51 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q1ZS40 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q2YS40 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q2YS50 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q2YS65H | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG200Q1US51 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG200Q1ZS11 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG200Q1ZS40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CHOPPER APPLICATIONS) |
| MG200Q2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG200Q2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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