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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG200Q1JS40 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-109C3A, 5 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 416K |
| 代理商： | MG200Q1JS40 |
MG200Q1JS40
2001-08-16
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
IGES
VGE = ±20V, VCE = 0
―
±20
A
Collector cut-off current
ICES
VCE = 1200V, VGE = 0
―
2.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
VGE (OFF)
VCE = 5V, IC = 200mA
3.0
―
6.0
V
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 200A, VGE = 15V
―
3.0
4.0
V
Input capacitance
Cies
VCE = 10V, VGE = 0
f = 1MHz
―
24000
―
pF
Rise time
tr
―
0.3
0.6
Turn-on time
ton
―
0.4
0.8
Fall time
tf
―
0.2
0.5
Switching time
Turn-off time
toff
―
0.8
1.5
s
Reverse current
IR
VR = 1200V
―
2.0
mA
Forward voltage
VF
IF = 200A, VGE = 0
―
2.0
3.0
V
Reverse recovery time
trr
IF = 200A, VGE = 10V
di / dt = 300A / s
―
0.25
0.5
s
Transistor
―
0.096
Thermal resistance
Diode
Rth (j-c)
―
0.25
°C / W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG200Q1US41 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q1US41 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q1US51 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q1ZS40 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG200Q2YS40 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG200Q1UK1 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
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| MG200Q1US41 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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| MG200Q1ZS11 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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