| 型號: | MG200J6ES60 |
| 廠商: | Toshiba Corporation |
| 英文描述: | TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述: | 東芝滋養(yǎng)模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數(shù): | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 102K |
| 代理商: | MG200J6ES60 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG200J6ES61 | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 200A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| MG200M1UK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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