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參數(shù)資料
| 型號： | MG200J6ES60 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝滋養(yǎng)模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 102K |
| 代理商： | MG200J6ES60 |
MG200J6ES60
2002-01-24
3
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Stage
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
600
V
Gate-emitter voltage
V
GES
20
V
DC
I
C
200
Collector current
1 ms
I
CP
400
A
DC
I
F
200
Forward current
1 ms
I
FM
400
A
Inverter
Collector power dissipation (Tc 25°C)
P
C
1000
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
40~125
°C
Isolation voltage
V
isol
2500 (AC 1 min)
V
Module
Screw torque
3 (M5)
N
m
Electrical Characteristics
(T
j
25°C)
1. Inverter stage
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
I
GES
V
GE
20 V, V
CE
0
500
nA
Collector cut-off current
I
CES
V
CE
600 V, V
GE
0
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
V
GE (off)
V
CE
5 V, I
C
200 mA
5.0
6.5
8.0
V
T
j
25°C
1.6
2.2
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
V
GE
15 V,
I
C
200 A
T
j
125°C
2.2
V
Input capacitance
C
ies
V
CE
10 V, V
GE
0, f 1 MHz
33000
pF
Turn-on delay time
t
d (on)
1.00
Turn-off time
t
off
1.20
Switching time
Fall time
t
f
0.50
Reverse recovery time
t
rr
V
CC
300 V, I
C
200 A
V
GE
15 V, R
G
10
(Note 1)
0.30
s
Forward voltage
V
F
I
F
200 A
1.7
2.3
V
Note 1: Switching time test circuit & timing chart
2. Module
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Zero-power resistance
R25
ITM 0.2 mA
100
k
B value
B25/85
Tc 25°C/Tc 85°C
4390
K
Inverter IGBT stage
0.125
Junction to case thermal resistance
R
th (j-c)
Inverter FRD stage
0.195
°C/W
Case to fin thermal resistance
R
th (c-f)
0.05
°C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG246A-B | 0.43 DUAL DIGIT NUMERIC DISPLAYS |
| MG25Q6ES50A | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MG200Q1UK1 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
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