參數(shù)資料
型號： MCP6V28T-E/SN
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 47/50頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OPAMP AUTO-ZERO SGL 8SOIC
標準包裝： 3,300
放大器類型： 自動調(diào)零
電路數(shù)： 1
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 1 V/µs
增益帶寬積： 2MHz
電流 - 輸入偏壓： 7pA
電壓 - 輸入偏移： 2µV
電流 - 電源： 620µA
電流 - 輸出 / 通道： 22mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 2.3 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)
MCP6V26/7/8
DS25007B-page 6
2011 Microchip Technology Inc.
TABLE 1-4:
TEMPERATURE SPECIFICATIONS
TABLE 1-3:
DIGITAL ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.3V to +5.5V, VSS = GND,
VCM = VDD/3, VOUT =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kW to VL, CL = 60 pF, and CS = GND (refer to Figure 1-5 and
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Pull-Down Resistor (MCP6V28)
CS Pull-Down Resistor
RPD
35
—
M
Ω
CS Low Specifications (MCP6V28)
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—0.3VDD
V
CS Input Current, Low
ICSL
—5
—
pA
CS = VSS
CS High Specifications (MCP6V28)
CS Logic Threshold, High
VIH
0.7VDD
—VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—VDD/RPD
—pA
CS = VDD
CS Input High,
GND Current per amplifier
ISS
—-0.4
—
A
CS = VDD, VDD = 2.3V
ISS
—-1
—
A
CS = VDD, VDD = 5.5V
Amplifier Output Leakage,
CS High
IO_LEAK
—20
—
pA
CS = VDD
CS Dynamic Specifications (MCP6V28)
CS Low to Amplifier Output On
Turn-on Time
tON
—4
50
s
CS Low = VSS+0.3 V, G = +1 V/V,
VOUT = 0.9 VDD/2
CS High to Amplifier Output
High-Z
tOFF
—1
—
s
CS High = VDD – 0.3 V, G = +1 V/V,
VOUT = 0.1 VDD/2
Internal Hysteresis
VHYST
—0.2
—
V
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, all limits are specified for: VDD = +2.3V to +5.5V, VSS = GND.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Operating Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Storage Temperature Range
TA
-65
—
+150
°C
Thermal Package Resistances
Thermal Resistance, 8L-4x4 DFN
θJA
—48
—
°C/W (Note 2)
Thermal Resistance, 8L-MSOP
θJA
—211
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-SOIC
θJA
—
150
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-2x3 TDFN
θJA
—53
—
°C/W (Note 2)
Note 1:
Operation must not cause TJ to exceed Maximum Junction Temperature specification (+150°C).
2:
Measured on a standard JC51-7, four layer printed circuit board with ground plane and vias.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSW-140-25-T-S-RA CONN HEADER 40POS .100" SNGL R/A
MCP6V28T-E/MS IC OPAMP AUTO-ZERO SGL 8SOIC
EL5161IWZ-T7 IC AMP CFA SGL 200MHZ SOT23-5
MTLW-107-05-G-D-170 CONN HEADER 14POS 1.00" DL GOLD
TSW-108-07-G-T CONN HEADER 24POS .100" AU
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參數(shù)描述
MCP6V31T-E/OT 功能描述:運算放大器 - 運放 Single, Zero Drift Op Amp, E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
MCP6V31T-E/OT-CUT TAPE 制造商:Microchip Technology 功能描述:Cut Tape 制造商:Microchip Technology 功能描述:SP Amp Zero Drift Amplifier Single R-R I/O 5.5V 5-Pin SOT-23 T/R
MCP6V31UT-E/LT 功能描述:運算放大器 - 運放 Single, Zero Drift Op Amp, E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
MCP6V31UT-E/OT 功能描述:運算放大器 - 運放 Single, Zero Drift Op Amp, E Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
MCP6V31UT-E/OT-CUT TAPE 制造商:Microchip Technology 功能描述:Cut Tape 制造商:Microchip Technology 功能描述:SP Amp Zero Drift Amplifier Single R-R I/O 5.5V 5-Pin SOT-23 T/R
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