Note: Unless otherwise indicated, TA
參數(shù)資料
型號： MCP6N11T-001E/SN
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 9/50頁
文件大小： 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 500KHZ 8SOIC
標準包裝： 3,300
放大器類型： 儀表
電路數(shù)： 1
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 9 V/µs
增益帶寬積： 500kHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 3000µV
電流 - 電源： 800µA
電流 - 輸出 / 通道： 30mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)
2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 17
MCP6N11
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kΩ to VL, CL = 60 pF and GDM = GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
FIGURE 2-23:
Input Bias and Offset
Currents vs. Ambient Temperature, with
VDD = +5.5V.
FIGURE 2-24:
Input Bias Current vs.
Input Voltage (below VSS).
FIGURE 2-25:
Input Bias and Offset
Currents vs. Common Mode Input Voltage, with
TA = +85°C.
FIGURE 2-26:
Input Bias and Offset
Currents vs. Common Mode Input Voltage, with
TA = +125°C.
FIGURE 2-27:
Output Voltage Headroom
vs. Output Current.
FIGURE 2-28:
Output Voltage Headroom
vs. Ambient Temperature.
1.E-10
1.E-09
1.E-08
s
,Offset
Currents
(A)
V
DD = 5.5V
V
CM = VDD
I
B
100p
1n
10n
1.E-12
1.E-11
25
45
65
85
105
125
Input
Bia
s
Ambient Temperature (°C)
| I
OS |
1p
10p
1E 09
1.E-08
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
urrent
Magnitude
(A)
+125°C
+85°C
+25°C
-40°
1m
100μ
10μ
1μ
100n
10n
1n
1.E-12
1.E-11
1.E-10
1.E-09
-1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0
Input
Cu
Input Voltage (V)
-40 C
1n
100p
10p
1p
-20
0
20
40
60
80
100
s,
Offset
Currents
(pA)
Representative Part
T
A = +85°C
V
DD = 5.5V
I
B
I
OS
-100
-80
-60
-40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Input
Bias
Common Mode Input Voltage (V)
10
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
s,
Offset
Currents
(nA)
Representative Part
T
A = +125°C
V
DD = 5.5V
I
B
I
OS
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Input
Bias
Common Mode Input Voltage (V)
1000
m
V)
o
om
(
m
V
=18V
V
DD = 5.5V
100
H
eadr
o
V
DD =1.8V
100
ltage
H
V
DD –VOH
V
put
V
o
V
OL – VSS
10
Out
10
0.1
1
10
Output Current Magnitude (mA)
9
10
7
8
(mV)
V
DD –VOH
5
6
7
d
room
V
DD = 5.5V
4
5
u
tHea
d
2
3
Outp
u
V
DD = 1.8V
0
1
V
OL –VSS
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
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PDF描述
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961121-5900-AR-PT CONN HEADER R/A 21POS GOLD SMD
961218-5500-AR-TP CONN HEADER R/A 18POS GOLD SMD
PCN10-64ACP-2.54DSA DIN CONN HEADER 64POS 3 ROW STR
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