Note: Unless otherwise indicated, TA
參數(shù)資料
型號： MCP6N11T-001E/SN
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 17/50頁
文件大小： 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 500KHZ 8SOIC
標準包裝： 3,300
放大器類型： 儀表
電路數(shù)： 1
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 9 V/µs
增益帶寬積： 500kHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 3000µV
電流 - 電源： 800µA
電流 - 輸出 / 通道： 30mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)
MCP6N11
DS25073A-page 24
2011 Microchip Technology Inc.
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kΩ to VL, CL = 60 pF and GDM = GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
FIGURE 2-58:
Quiescent Current in
Shutdown vs. Power Supply Voltage.
FIGURE 2-59:
Output Leakage Current vs.
Output Voltage.
0.0
e
nt;
EN/CAL = 0V
-0.5
y
Curr
e
-1.0
S
uppl
y
μ
A)
-1.5
P
ower
S
I SS
(μ
-2.0
ative
P
+125°C
+85°C
-2.5
Neg
+85 C
+25°C
-40°C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
Power Supply Voltage (V)
1.E-07
A
)
EN/CAL = 0V
V
DD = 5.5V
100n
1.E-08
rent
(
A
+125°C
DD
10n
1.E-09
g
e
Cur
r
+85°C
1n
1.E-10
L
eaka
g
100p
1.E-11
u
tput
L
25°C
10p
1.E-12
O
u
+25°C
1p
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
Output Voltage (V)
1p
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PCN13-100S-2.54DSA DIN CONN RCPT 100POS 2 ROW STR
75844-802-72 HDR STR DR .100 GP
961121-5900-AR-PT CONN HEADER R/A 21POS GOLD SMD
961218-5500-AR-TP CONN HEADER R/A 18POS GOLD SMD
PCN10-64ACP-2.54DSA DIN CONN HEADER 64POS 3 ROW STR
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參數(shù)描述
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MCP6N11T-002E/SN 功能描述:儀表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 輸入補償電壓:150 V 可用增益調(diào)整: 最大輸入電阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作電源電壓:2.7 V to 36 V 電源電流:200 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Bulk
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MCP6N11T-005E/SN 功能描述:儀表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 輸入補償電壓:150 V 可用增益調(diào)整: 最大輸入電阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作電源電壓:2.7 V to 36 V 電源電流:200 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Bulk
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