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參數(shù)資料
型號： MCP2004T-E/MD
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 6/34頁
文件大小： 0K
描述： IC TXRX LIN B/DIR 8DFN
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Microchip MCP20xx LIN Transceiver Overview
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,300
類型： 收發(fā)器
驅(qū)動器/接收器數(shù)： 1/1
規(guī)程： LIN
電源電壓： 6 V ~ 27 V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-DFN（4x4）
包裝： 帶卷 (TR)
MCP2003/4/3A/4A
DS22230D-page 14
2010-2011 Microchip Technology Inc.
Bus Interface
High Level Input Voltage
VIH(LBUS)
0.6 VBB
—
V
Recessive state
Low Level Input Voltage
VIL(LBUS)-8
—
0.4 VBB
V
Dominant state
Input Hysteresis
VHYS
—
0.175 VBB
VVIH(LBUS) – VIL(LBUS)
Low Level Output Current
IOL(LBUS)
40
—
200
mA
Output voltage = 0.1 VBB,
VBB = 12V
High Level Output Current
IOH(LBUS)—
—
20
A
Pull-up Current on Input
IPU(LBUS)5
—
180
A
~30 k
Ω internal pull-up
@ VIH (LBUS) = 0.7 VBB
Short Circuit Current Limit
ISC
50
—
200
mA
High Level Output Voltage
VOH(LBUS)
0.9 VBB
—VBB
V
Driver Dominant Voltage
V_LOSUP
——
1.2
V
VBB = 7V, RLOAD = 500
Ω
Driver Dominant Voltage
V_HISUP
——
2.0
V
VBB = 18V, RLOAD = 500
Ω
Driver Dominant Voltage
V_LOSUP-1K
0.6
—
V
VBB = 7V, RLOAD = 1 k
Ω
Driver Dominant Voltage
V_HISUP-1K
0.8
—
V
VBB = 18V, RLOAD = 1 k
Ω
Input Leakage Current
(at the receiver during
dominant bus level)
IBUS_PAS_DOM
-1
-0.4
—
mA
Driver off,
VBUS = 0V,
VBB = 12V
Input Leakage Current
(at the receiver during
recessive bus level)
IBUS_PAS_REC
—
12
20
A
Driver off,
8V < VBB < 18V
8V < VBUs < 18V
VBUS
≥ VBB
Leakage Current
(disconnected from ground)
IBUS_NO_GND
-10
1.0
+10
A
GNDDEVICE = VBB,
0V < VBUS < 18V,
VBB = 12V
Leakage Current
(disconnected from VBB)
IBUS_NO_VBB
——
10
A
VBB = GND,
0 < VBUS < 18V,
Receiver Center Voltage
VBUS_CNT
0.475 VBB
0.5
VBB
0.525 VBB
VVBUS_CNT = (VIL (LBUS) +
VIH (LBUS))/2
Slave Termination
RSLAVE
20
30
47
k
Ω
Capacitance of Slave Node
CSLAVE
50
pF
2.3
DC Specifications (Continued)
DC Specifications
Electrical Characteristics:
Unless otherwise indicated, all limits are specified for:
VBB = 6.0V to 30.0V
TA = -40°C to +125°C
Parameter
Sym
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
Note 1:
Internal current limited. 2.0 ms maximum recovery time (RLBUS = 0
Ω, TX = 0.4 VREG, VLBUS = VBB).
2:
Node has to sustain the current that can flow under this condition; bus must be operational under this
condition.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCP2003T-E/MD TXRX LIN STAND ALONE 8DFN
TLV2541CDGKRG4 IC 12BIT 200 KSPS ADC S/O 8-MSOP
TLV2541CDGKR IC 12BIT 200 KSPS ADC S/O 8-MSOP
VI-2NR-IU CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 200W
VI-B4N-MX-F1 CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 75W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MCP200JR-100R 功能描述:RES 100 OHM 2W 5% MELF RoHS:是 類別:電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝 系列:MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:RCL - 汽車 電阻（歐姆）:30.9 功率（瓦特）:1W 復(fù)合體:厚膜 特點:- 溫度系數(shù):±100ppm/°C 容差:±1% 封裝/外殼:1812（4632 公制）寬（長端），1218（3246 公制） 尺寸/尺寸:0.126" L x 0.181" W（3.20mm x 4.60mm） 高度:0.024"（0.60mm） 端子數(shù):2 包裝:帶卷 (TR)
MCP200JR-10K 功能描述:RES 10K OHM 2W 5% MELF RoHS:是 類別:電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝 系列:MCP 產(chǎn)品目錄繪圖:RHM Series Top RHM Series Side 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 系列:MCR10 電阻（歐姆）:27 功率（瓦特）:0.125W，1/8W 復(fù)合體:厚膜 特點:- 溫度系數(shù):±200ppm/°C 容差:±5% 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:2225 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:RHM27ATR
MCP200JR-10R 功能描述:RES 10 OHM 2W 5% MELF RoHS:是 類別:電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝 系列:MCP 產(chǎn)品目錄繪圖:RHM Series Top RHM Series Side 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 系列:MCR10 電阻（歐姆）:27 功率（瓦特）:0.125W，1/8W 復(fù)合體:厚膜 特點:- 溫度系數(shù):±200ppm/°C 容差:±5% 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:2225 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:RHM27ATR
MCP200JR-120R 功能描述:RES 120 OHM 2W 5% MELF RoHS:是 類別:電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝 系列:MCP 產(chǎn)品目錄繪圖:RHM Series Top RHM Series Side 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 系列:MCR10 電阻（歐姆）:27 功率（瓦特）:0.125W，1/8W 復(fù)合體:厚膜 特點:- 溫度系數(shù):±200ppm/°C 容差:±5% 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:2225 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:RHM27ATR
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