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參數(shù)資料
| 型號： | MCP2004T-E/MD |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 4/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC TXRX LIN B/DIR 8DFN |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Microchip MCP20xx LIN Transceiver Overview |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,300 |
| 類型： | 收發(fā)器 |
| 驅(qū)動器/接收器數(shù)： | 1/1 |
| 規(guī)程： | LIN |
| 電源電壓： | 6 V ~ 27 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-VDFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-DFN（4x4） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
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MCP2003/4/3A/4A
DS22230D-page 12
2010-2011 Microchip Technology Inc.
2.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2.1
Absolute Maximum Ratings
VIN DC Voltage on RXD, TXD, FAULT/TXE, CS ............................................................................................. -0.3 to +43V
VIN DC Voltage on WAKE and VREN .............................................................................................................-0.3 to +VBB
VBB Battery Voltage, continuous, non-operating (Note 1)............................................................................. -0.3 to +40V
VBB Battery Voltage, non-operating (LIN bus recessive) (Note 2) ................................................................ -0.3 to +43V
VBB Battery Voltage, transient ISO 7637 Test 1 ..................................................................................................... -200V
VBB Battery Voltage, transient ISO 7637 Test 2a ...................................................................................................+150V
VBB Battery Voltage, transient ISO 7637 Test 3a ................................................................................................... -300V
VBB Battery Voltage, transient ISO 7637 Test 3b ...................................................................................................+200V
VLBUS Bus Voltage, continuous ...................................................................................................................... -18 to +40V
VLBUS Bus Voltage, transient (Note 3) ........................................................................................................... -27 to +43V
ILBUS Bus Short Circuit Current Limit ....................................................................................................................200 mA
ESD protection on LIN, VBB, WAKE (IEC 61000-4-2) (Note 4)............................................................................... ±8 KV
ESD protection on LIN, VBB (Human Body Model) (Note 5) ................................................................................... ±8 KV
ESD protection on all other pins (Human Body Model) (Note 5) ............................................................................ ±4 KV
ESD protection on all pins (Charge Device Model) (Note 6)................................................................................... ±2 KV
ESD protection on all pins (Machine Model) (Note 7).............................................................................................±200V
Maximum Junction Temperature ............................................................................................................................. 150
°C
Storage Temperature...................................................................................................................................-65 to +150
°C
Note 1: LIN 2.x compliant specification.
2: SAE J2602 compliant specification.
3: ISO 7637/1 load dump compliant (t < 500 ms).
4: According to IEC 61000-4-2, 330 ohm, 150 pF and Transceiver EMC Test Specifications [2] to [4]. For WAKE
pin to meet the specification, series resistor must be in place (refer to Example 1-2).
5: According to AEC-Q100-002 / JESD22-A114.
6: According to AEC-Q100-011B.
7: According to AEC-Q100-003 / JESD22-A115.
2.2
Nomenclature used in this document
Some terms and names used in this data sheet deviate from those referred to in the LIN specifications. Equivalent
values are shown below.
NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of the device, at those or any other conditions above those
indicated in the operational listings of this specification, is not implied. Exposure to maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
LIN 2.1 Name
Term used in the following tables
Definition
V
BAT
not used
ECU operating voltage
V
SUP
VBB
Supply voltage at device pin
I
BUS
_LIM
ISC
Current Limit of Driver
V
BUSREC
VIH(LBUS)
Recessive state
V
BUSDOM
VIL(LBUS)
Dominant state
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP2003T-E/MD | TXRX LIN STAND ALONE 8DFN |
| TLV2541CDGKRG4 | IC 12BIT 200 KSPS ADC S/O 8-MSOP |
| TLV2541CDGKR | IC 12BIT 200 KSPS ADC S/O 8-MSOP |
| VI-2NR-IU | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 200W |
| VI-B4N-MX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 75W |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCP200JR-100K | 功能描述:RES 100K OHM 2W 5% MELF RoHS:是 類別:電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝 系列:MCP 產(chǎn)品目錄繪圖:RHM Series Top RHM Series Side 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 系列:MCR10 電阻（歐姆）:27 功率（瓦特）:0.125W，1/8W 復(fù)合體:厚膜 特點(diǎn):- 溫度系數(shù):±200ppm/°C 容差:±5% 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:2225 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:RHM27ATR |
| MCP200JR-100R | 功能描述:RES 100 OHM 2W 5% MELF RoHS:是 類別:電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝 系列:MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:RCL - 汽車 電阻（歐姆）:30.9 功率（瓦特）:1W 復(fù)合體:厚膜 特點(diǎn):- 溫度系數(shù):±100ppm/°C 容差:±1% 封裝/外殼:1812（4632 公制）寬（長端），1218（3246 公制） 尺寸/尺寸:0.126" L x 0.181" W（3.20mm x 4.60mm） 高度:0.024"（0.60mm） 端子數(shù):2 包裝:帶卷 (TR) |
| MCP200JR-10K | 功能描述:RES 10K OHM 2W 5% MELF RoHS:是 類別:電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝 系列:MCP 產(chǎn)品目錄繪圖:RHM Series Top RHM Series Side 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 系列:MCR10 電阻（歐姆）:27 功率（瓦特）:0.125W，1/8W 復(fù)合體:厚膜 特點(diǎn):- 溫度系數(shù):±200ppm/°C 容差:±5% 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:2225 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:RHM27ATR |
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