參數(shù)資料
型號： MCIMX253DVM4
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 111/153頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MPU I.MX25 COMM 400MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： i.MX25
核心處理器： ARM9
芯體尺寸： 32-位
速度： 400MHz
連通性： 1 線，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 128
程序存儲器類型： 外部程序存儲器
RAM 容量： 144K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.15 V ~ 1.52 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 3x12b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -20°C ~ 70°C
封裝/外殼： 400-LFBGA
包裝： 托盤
i.MX25 Applications Processor for Consumer and Industrial Products, Rev. 10
60
Freescale Semiconductor
3.7.6.1.2
Mobile DDR SDRAM–Specific Parameters
The following diagrams and tables specify the timings related to the SDRAMC module which interfaces
with the mobile DDR SDRAM.
Figure 29. Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing Diagram
Table 47. SDRAM Self-Refresh Cycle Timing Parameters
ID
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit
SD16
CKE output delay time
tCKS
1.8
—
ns
Table 48. Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing Parameters1
1 Test condition: Measured using delay line 5 programmed as follows: ESDCDLY5[15:0] = 0x0703.
ID
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit
SD17
DQ and DQM setup time to DQS
tDS
0.95
—
ns
SD18
DQ and DQM hold time to DQS
tDH
0.95
—
ns
SD19
Write cycle DQS falling edge to SDCLK output delay time
tDSS
1.8
—
ns
SD20
Write cycle DQS falling edge to SDCLK output hold time
tDSH
1.8
—
ns
SDCLK
DQS (output)
DQ (output)
DQM (output)
Data
DM
SD17
SD18
SD19
SD20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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