參數(shù)資料
型號(hào)： MCH6613
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MCPH6, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： MCH6613
MCH6613
No.6920-2/7
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
19
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
65
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
155
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
120
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA
1.58
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA
0.26
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA
0.31
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=150mA, VGS=0V
0.87
1.2
V
[P-channel]
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=--1mA, VGS=0V
--30
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=--30V, VGS=0V
--1
A
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±8V, VDS=0V
±10
A
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=--10V, ID=--100A
--0.4
--1.4
V
Forward Transfer Admittance
yfs
VDS=--10V, ID=--50mA
80
110
mS
RDS(on)1
ID=--50mA, VGS=--4V
8
10.4
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)2
ID=--30mA, VGS=--2.5V
11
15.4
RDS(on)3
ID=--1mA, VGS=--1.5V
27
54
Input Capacitance
Ciss
VDS=--10V, f=1MHz
7.5
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--10V, f=1MHz
5.7
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--10V, f=1MHz
1.8
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
24
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
55
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
120
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
130
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
1.43
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
0.18
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
0.25
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--100mA, VGS=0V
--0.83
--1.2
V
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
7022A-006
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
SANYO : MCPH6
2.0
0.25
1.6
2.1
0.25
0.85
0.3
0.65
0.15
0 to 0.02
0.07
65
4
12
3
65
4
12
3
65
4
12
3
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
Top view
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCH6614 350 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6615 650 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6616 1600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6616 1600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6619 1000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCH6613_06 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
MCH6613-TL-E 功能描述:MOSFET PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MCH6614 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
MCH6615 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
MCH6615-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETNP CHSC-82
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*