參數(shù)資料
型號： MCH6412
元件分類： JFETs
英文描述： 5 A, 30 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MCPH6, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： MCH6412
MCH6412
No. A0448-3/4
0246
3
15
7
0
1.0
2.0
3.0
4.0
3.5
2.5
1.5
0.5
IT11188
10
7
5
3
2
5
3
2
100
IT11186
IT11184
0.1
1.0
23
5
7
10
23
5
7
010
20
515
25
30
100
7
3
1000
7
5
3
2
5
IT11187
IT11185
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
VGS=0V
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
td(on)
td(off)
tf
t r
VDD=15V
VGS=4V
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
VDS=10V
ID=5A
0.01
0.1
27
35
2
10
27
35
1.0
7
35
1.0
7
5
3
2
3
2
10
7
5
3
VDS=10V
75°
C
Ta=
--25
°C
25°
C
10
7
5
3
VGS -- Qg
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IS -- VSD
yfs -- ID
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
--
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Drain Current, ID -- A
2
3
5
7
2
3
2
3
5
7
1.0
0.1
2
3
5
7
0.01
10
1.0
10
0.1
0.01
23
5 7
23
5 7
2
3
5
72 3
IT11231
≤10s
IDP=20A
ID=5A
100
s
1ms
10ms
100ms
Operation in this
area is limited by RDS(on).
DC
operation
(T
a=25
°C)
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm2!0.8mm)
0
20
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1.8
1.4
1.5
1.2
1.6
1.0
60
80
100
120
140
160
IT111232
Ambient Temperature, Ta --
°C
PD -- Ta
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
W
Mounted
on
a
ceramic
board
(900mm
2!
0.8mm)
相關PDF資料
PDF描述
MCH6413 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6413 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6415 4000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6421 5.5 A, 20 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MCH6421 5.5 A, 20 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MCH6415-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 20V 4A lbogU Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 4A SC-82 制造商:Sanyo 功能描述:0
MCH6421 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
MCH6421_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
MCH6421-TL-E 功能描述:MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*