參數(shù)資料
型號: MCH6203
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ULTRA SMALL, MCPH6, 6 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 42K
代理商: MCH6203
MCH6103 / MCH6203
No.6611-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
(--280)130
(--430)190
mV
VCE(sat)2
IC=(--)300mA, IB=(--)6mA
(--145)90
(--220)135
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
(--)0.81
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=(--)100A, RBE=0
(--50)80
V
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(36)38
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(173)332
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(28)40
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2177A
1 : Collector
2 : Collector
3 : Base
4 : Emitter
5 : Collector
6 : Collector
SANYO : MCPH6
0.25
0.07
2.1
1.6
2.0
0.65
0.3
0.85
0.15
1
12
3
65
4
32
5
46
(Bottom view)
(Top view)
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
50
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=20IB1= --20IB2=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--200
--400
--600
--800
--1000
IC -- VCE
--2mA
--1mA
--4mA
--6mA
--8mA
--10mA
--30mA
--20mA
--40mA
IB=0
MCH6103
IT01890
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
200
400
600
800
1000
IC -- VCE
1mA
2mA
4mA
6mA
8mA
10mA
20mA
30mA
40mA
IB=0
IT01891
MCH6203
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV
Collector
Current,
I
C
-
A
相關PDF資料
PDF描述
MCH6103 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MCH6302 3 A, 30 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MCH6303 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MCH6305 4 A, 20 V, 0.0654 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MCH6305 4 A, 20 V, 0.0654 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MCH6203-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MCH6302 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
MCH6303 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
MCH6305 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
MCH6306 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:MCH6306