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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MCH6121 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | MCH6121 |
MCH6121
No. A1286-3/4
Collector Current, IC -- A
IT04546
hFE -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
100
0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
1000
--0.01
23
5 7 --0.1
23
5 7 --1.0
--10
23
5 7
VCE=--2V
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
IT04547
--0.01
10
--0.1
--1.0
23
57
23
5 7
2
3
5
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
fT -- IC
VCE= --2V
Collector Current, IC -- A
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
10
7
5
3
2
100
--1.0
--10
23
5
7
2
3
IT04548
Cob -- VCB
f=1MHz
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
--1.0
--10
--100
--0.01
--0.1
23
5 7
--1.0
23
5 7
--10
23
5 7
3
5
2
7
2
3
5
7
5
3
2
VCE(sat) -- IC
IT04549
IC / IB=20
25
°C
Ta=75
°C
--25
°C
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
--0.01
--0.1
--1.0
23
5 7
2
3
5 7
2
3
5
--10
--100
VCE(sat) -- IC
2
3
5
7
2
3
5
IC / IB=50
25
°C
Ta=75
°C
--25
°C
IT04550
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
Collector Current, IC -- A
2
3
5
7
2
VBE(sat) -- IC
IT04551
--0.1
--1.0
--0.01
--0.1
23
5 7
--1.0
23
5 7
23
5 7
IC / IB=50
25°C
Ta=75°C
--25°C
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
--1.0
2
3
5
7
2
--10
2
3
5
7
0
20
40
60
80
100
120
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.2
140
160
--0.01
--0.1
2
3
5
7
IT13915
IT13914
--0.01
--0.1
23
5 7
2
--1.0
35 7
2
--10
35 7
2 3
IC= --3A
ICP= --5A
1ms
10ms
100ms
DC
operation
(T
a=25
°C)
100
μ
s
500
μ
s
Collector
Dissipation,
P
C
-
mW
PC -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
ASO
<100
μs
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Ta=25
°C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (600mm2
×0.8mm)
When mounted on ceramic substrate
(600mm2
×0.8mm)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6122 | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6122 | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6201 | 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6101 | 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6101 | 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH6121-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 12V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MCH6122 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Amplifier |
| MCH6122-TL-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP 3A 30V - Tape and Reel |
| MCH6122-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MCH6123 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |
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