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參數(shù)資料
| 型號： | MCH6121 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | MCH6121 |
MCH6121
No. A1286-2/4
1 : Collector
2 : Collector
3 : Base
4 : Emitter
5 : Collector
6 : Collector
SANYO : MCPH6
2.0
0.
25
1.
6
2.
1
0.
25
0.
85
0.3
0.65
0.15
0 t o 0.02
0.
07
65
4
12
3
65
4
12
3
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB= -12V, IE=0A
-0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB= -4V, IC=0A
-0.1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE= -2V, IC= -500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE= -2V, IC= -500mA
380
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB= -10V, f=1MHz
40
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC= -1.5A, IB= -30mA
-110
-165
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC= -1.5A, IB= -30mA
-0.85
-1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC= -10μA, IE=0A
-15
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC= -1mA, RBE=∞
-12
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE= -10μA, IC=0A
-5
V
Turn-On Time
ton
See specied Test Circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specied Test Circuit.
90
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
14
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7022A-007
VR
1kΩ
VCC= --5V
VBE=5V
--20IB1=20IB2=IC=--1.5A
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
220μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
IT04544
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
--2.0
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
--1.8
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--10mA
--12mA
--16mA
--14mA
IB=0mA
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IT04545
0
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
VCE=--2V
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6122 | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6122 | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6201 | 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6101 | 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MCH6101 | 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH6121-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 12V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MCH6122 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Amplifier |
| MCH6122-TL-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP 3A 30V - Tape and Reel |
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| MCH6123 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |
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