參數(shù)資料
型號(hào)： MCH6101
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MCPH6, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： MCH6101
MCH6101 / MCH6201
No.6387-2/5
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Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)750mA, IB=(--)15mA
(--110)120
(--180)200
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)750mA, IB=(--)15mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--)15
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)15
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(90)160
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(12)15
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2177A
1 : Collector
2 : Collector
3 : Base
4 : Emitter
5 : Collector
6 : Collector
SANYO : MCPH6
0.25
0.07
2.1
1.6
2.0
0.65
0.3
0.85
0.15
1
12
3
65
4
32
5
46
(Bottom view)
(Top view)
+
50
INPUT
OUTPUT
VR
RB
RL
VCC=5V
220
F 470F
VBE= --5V
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
20IB1= --20IB2= IC=750mA
For PNP, the polarity is reversed.
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
0
IC -- VCE
0
--0.2
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
IB=0
MCH6101
--4mA
--15mA
--10mA
--8mA
--6mA
--30mA
--20mA
--40mA
--50mA
--2mA
IT00882
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
IC -- VBE
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
MCH6101
VCE= --2V
IT00884
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.6
1.0
1.4
1.8
0.2
0
IC -- VCE
0
0.2
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
0.4
0.6
0.8
1.0
10mA
15mA
8mA
6mA
4mA
2mA
IB=0
30mA
20mA
50mA
40mA
IT00883
T
a=75
°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
IC -- VBE
25
°C
--25
°C
MCH6201
VCE=2V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IT00885
MCH6201
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
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PDF描述
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