參數(shù)資料
型號: MCH5836
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: MCPH5, 5 PIN
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 66K
代理商: MCH5836
MCH5836
No. A0780-4/6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.6
1.4
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.5
--2.0
--3.0
--4.0
--3.5
IT03509
IT12365
IT12364
--0.1
--1.0
23
5
7
2
3
100
10
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
1.0
VDD= --10V
VGS= --4V
td(on)
td(off)
tf
tr
IT03507
IT03505
--0.01
--0.1
23
5
7
23
5
7
--1.0
3
1.0
2
0.1
7
5
3
2
IT03506
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.1
--1.0
--1.2
--0.01
--0.1
--1.0
--10
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
--4
--8
--12
--16
--20
--2
--6
--10
--14
--18
10
100
2
7
5
3
2
3
IT03508
VDS= --10V
ID= --1A
VDS= --10V
75°
C
25°
C
Ta=
--25
°C
VGS=0V
--
2
5°
C
25
°C
T
a=75
°C
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
yfs -- ID
IS -- VSD
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain Current, ID -- A
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
--
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
VGS -- Qg
PD -- Ta
A S O
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allo
w
able
Po
wer
Dissipation,
P
D
--
W
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
--0.1
--1.0
--0.01
5
3
2
7
3
2
7
5
2
3
5
57
23
5
3
2
2 35 7
3
27
5
--10
--1.0
--0.1
--0.01
7
--10
IDP= --4A
ID= --1A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
PW
≤10μs
1ms
100
μs
10ms
100ms
DC
operation
(T
a=25
°C)
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm2
0.8mm) 1unit
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.2
0.4
1.0
0.6
0.8
Mounted
on
a ceramic
board
(900mm
2
0.8mm)
1unit
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PDF描述
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