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參數(shù)資料
| 型號： | MCH5809 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | MCPH5, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | MCH5809 |
MCH5809
No.7525-3/5
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Ambient Temperature, Ta --
°C
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VDS
ID -- VGS
RDS(on) -- Ta
RDS(on) -- VGS
IT06104
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.2
100
200
300
400
500
50
150
250
350
450
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT06102
02468
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IT06103
IT06105
100
200
300
400
500
50
150
250
350
450
0
VGS=1.0V
4.0V
3.0V
2.5V
1.5V
VDS=10V
--25
°C
T
a=
--25
°C
25
°C
25
°C
Ta=75
°C
Ta=25
°C
ID
=400mA
ID
=800mA
ID=400mA,
VGS
=2.5V
ID=800mA,
VGS
=4V
75
°C
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Forward
Current,
I
F
-
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Drain Current, ID -- A
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
SW Time -- ID
yfs -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IF -- VSD
0.01
0.1
23
5
7
1.0
23
5
7
23
5
7 10
10
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
7
5
3
2
1.0
IT06108
IT06106
0.1
1.0
23
5
7
0.01
23
5
7
23
5
10
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
IT06107
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.01
0.1
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
5
10
15
20
25
30
IT06109
10
100
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
VGS=0
--25
°C
25
°C
T
a-75
°C
VDD=15V
VGS=4V
td(on)
td(off)
tr
tf
f=1MHz
Coss
Crss
Ciss
VDS=10V
75°
C
25°
C
Ta-
--25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MCH5812 | 2000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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參數(shù)描述 |
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| MCH5812 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications |
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