參數(shù)資料
型號: MC9S08QD4CPC
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: 8-BIT, FLASH, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP8
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8
文件頁數(shù): 86/198頁
文件大?。?/td> 2473K
代理商: MC9S08QD4CPC
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S08QD4 Series MCU Data Sheet, Rev. 6
176
Freescale Semiconductor
Table A-5. DC Characteristics (Temperature Range = –40 to 125
°C Ambient)
Parameter
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Supply voltage (run, wait, and stop modes.)
VDD
2.7
5.5
V
POR re-arm voltage1
VPOR
0.9
1.4
2.0
V
Minimum RAM retention supply voltage applied to VDD
VRAM
VPOR
2, 3
—V
Low-voltage detection threshold — high range
(Consumer and Industrial MC9S08QDx)
VDD falling
VDD rising)
VLVDH
4.2
4.3
4.4
4.5
V
Low-voltage detection threshold — high range
(Automotive S9S08QDx)
(VDD falling)
–40
°C to 0°C
0 to 125
°C
(VDD rising)
–40
°C to 0°C
0 to 125
°C
4.175
4.2
4.275
4.3
4.4
4.3
4.4
4.5
4.4
4.5
V
Low-voltage detection threshold — low range
(VDD falling)
(VDD rising)
VLVDL
2.48
2.54
2.56
2.62
2.64
2.7
V
Low-voltage warning threshold — high range
(Consumer and Industrial MC9S08QDx)
(VDD falling)
(VDD rising)
VLVWH
4.2
4.3
4.4
4.5
V
Low-voltage warning threshold — high range
(Automotive S9S08QDx)
(VDD falling)
–40
°C to 0°C
0 to 125
°C
(VDD rising)
–40
°C to 0°C
0 to 125
°C
4.175
4.2
4.275
4.3
4.4
4.3
4.4
4.5
4.4
4.5
V
Low-voltage warning threshold — low range
(VDD falling)
(VDD rising)
VLVWL
2.48
2.54
2.56
2.62
2.64
2.7
V
Low-voltage inhibit reset/recover hysteresis
5V
3V
Vhys
100
60
mV
Bandgap Voltage Reference
(Consumer and Industrial MC9S08QDx)
Factory trimmed at VDD = 3.0V, Temp = 25°C
VBG
1.19
1.20
1.21
V
Bandgap Voltage Reference (S9S08QDx)
Factory trimmed at VDD = 3.0V, Temp = 25°C
–40
°C to 125°C
1.18
1.20
1.215
V
Input high voltage (2.7 V
≤ V
DD ≤ 5.5 V) (all digital inputs)
VIH
0.7
× V
DD
—V
Input low voltage (2.7 V
≤ V
DD ≤ 5.5 V) (all digital inputs)
VIL
—0.3
× V
DD
V
Input hysteresis (all digital inputs)
Vhys
0.06
× V
DD
—V
Input leakage current (Per pin)
VIn = VDD or VSS, all input only pins
|IIn|
0.025
1.0
μA
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