- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄3789 > MC9S08GT32ACBE (Freescale Semiconductor)IC MCU 32K FLASH 2K RAM 42-SDIP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MC9S08GT32ACBE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 251/302頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 32K FLASH 2K RAM 42-SDIP |
| 標準包裝： | 13 |
| 系列： | S08 |
| 核心處理器： | S08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 連通性： | I²C，SCI，SPI |
| 外圍設備： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 33 |
| 程序存儲器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 數(shù)據(jù)轉換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 42-SDIP（0.600"，15.24mm） |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 729 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | M68DEMO908GB60E-ND - BOARD DEMO MC9S08GB60 M68EVB908GB60E-ND - BOARD EVAL FOR MC9S08GB60 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁當前第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁
Chapter 4 Memory
MC9S08GB60A Data Sheet, Rev. 2
52
Freescale Semiconductor
4.4.3
Program and Erase Command Execution
The steps for executing any of the commands are listed below. The FCDIV register must be initialized and
any error flags cleared before beginning command execution. The command execution steps are:
1. Write a data value to an address in the flash array. The address and data information from this write
is latched into the flash interface. This write is a required first step in any command sequence. For
erase and blank check commands, the value of the data is not important. For page erase commands,
the address may be any address in the 512-byte page of flash to be erased. For mass erase and blank
check commands, the address can be any address in the flash memory. Whole pages of 512 bytes
are the smallest blocks of flash that may be erased. In the 60K version, there are two instances
where the size of a block that is accessible to the user is less than 512 bytes: the first page following
RAM, and the first page following the high page registers. These pages are overlapped by the RAM
and high page registers, respectively.
NOTE
Do not program any byte in the flash more than once after a successful erase
operation. Reprogramming bits in a byte which is already programmed is
not allowed without first erasing the page in which the byte resides or mass
erasing the entire flash memory. Programming without first erasing may
disturb data stored in the flash.
2. Write the command code for the desired command to FCMD. The five valid commands are blank
check (0x05), byte program (0x20), burst program (0x25), page erase (0x40), and mass erase
(0x41). The command code is latched into the command buffer.
3. Write a 1 to the FCBEF bit in FSTAT to clear FCBEF and launch the command (including its
address and data information).
A partial command sequence can be aborted manually by writing a 0 to FCBEF any time after the write to
the memory array and before writing the 1 that clears FCBEF and launches the complete command.
Aborting a command in this way sets the FACCERR access error flag which must be cleared before
starting a new command.
A strictly monitored procedure must be adhered to, or the command will not be accepted. This minimizes
the possibility of any unintended change to the flash memory contents. The command complete flag
(FCCF) indicates when a command is complete. The command sequence must be completed by clearing
FCBEF to launch the command. Figure 4-2 is a flowchart for executing all of the commands except for
burst programming. The FCDIV register must be initialized before using any flash commands. This must
be done only once following a reset.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC908KX2CDWE | IC MCU 2K FLASH 8MHZ 16-SOICW |
| SPC5516SBMLQ66 | MCU POWERPC AN15 FIXED 144-LQFP |
| SPC5515SBMLQ66 | MCU POWERPC AN15 FIXED 144-LQFP |
| MCF52223CVM66J | IC MCU 32BIT W/USB 81MAPBGA |
| MCF52211CVM80J | IC MCU RISC 128K FLASH 81MAPBGA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC9S08GT32ACFBE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S08GT32ACFBE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:8-BIT MICROCONTROLLER IC ((NW)) |
| MC9S08GT32ACFBE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC 8BIT 32K FLASH |
| MC9S08GT32ACFBER | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 BIT 32K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S08GT32ACFBER-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MC9S08GT Series 2 KB RAM 32 KB Flash 20 MHz 8-Bit Microcontroller - QFP-44 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。