參數(shù)資料
型號(hào)： MC9328MX1DVH20
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 17/100頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU I.MX 200MHZ 256-MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 152
系列： i.MX1
核心處理器： ARM9
芯體尺寸： 32-位
速度： 200MHz
連通性： EBI/EMI，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB
外圍設(shè)備： DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 110
程序存儲(chǔ)器類型： ROMless
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.7 V ~ 3.3 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： -30°C ~ 70°C
封裝/外殼： 256-LFBGA
包裝： 托盤
Electrical Characteristics
MC9328MX1 Technical Data, Rev. 7
Freescale Semiconductor
23
in the system, these Bluetooth pins can be used as general purpose I/O pins and BTRFVDD can be used
as other NVDD pins.
For more information about I/O pads grouping per VDD, please refer to Table 2 on page 4.
3.3
Power Sequence Requirements
For required power-up and power-down sequencing, please refer to the “Power-Up Sequence” section of
application note AN2537 on the i.MX applications processor website.
3.4
DC Electrical Characteristics
Table 6 contains both maximum and minimum DC characteristics of the i.MX1 processor.
Table 5. Recommended Operating Range
Symbol
Rating
Minimum
Maximum
Unit
TA
Operating temperature range
MC9328MX1VM20\MC9328MX1VM15
070
°C
TA
Operating temperature range
MC9328MX1DVM20\MC9328MX1DVM15
-30
70
°C
TA
Operating temperature range
MC9328MX1CVM15
-40
85
°C
NVDD
I/O supply voltage (if using MSHC, CSI, SPI, BTA, LCD, and USBd which
are only 3 V interfaces)
2.70
3.30
V
NVDD
I/O supply voltage (if not using the peripherals listed above)
1.70
3.30
V
QVDD
Internal supply voltage (Core = 150 MHz)
1.70
1.90
V
QVDD
Internal supply voltage (Core = 200 MHz)
1.80
2.00
V
AVDD
Analog supply voltage
1.70
3.30
V
Table 6. Maximum and Minimum DC Characteristics
Number or
Symbol
Parameter
Min
Typical
Max
Unit
Iop
Full running operating current at 1.8V for QVDD, 3.3V for
NVDD/AVDD (Core = 96 MHz, System = 96 MHz, MPEG4
decoding playback from external memory card to both
external SSI audio decoder and driving TFT display panel,
and OS with MMU enabled memory system is running on
external SDRAM).
–
QVDD at
1.8V = 120mA;
NVDD+AVDD at
3.0V = 30mA
–mA
Sidd1
Standby current
(Core = 150 MHz, QVDD = 1.8V, temp = 25
°C)
–25
–
μA
Sidd2
Standby current
(Core = 150 MHz, QVDD = 1.8V, temp = 55
°C)
–45
–
μA
Sidd3
Standby current
(Core = 150 MHz, QVDD = 2.0V, temp = 25
°C)
–35
–
μA
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