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參數(shù)資料
| 型號： | MC68HRC98JL3EMDW |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO28 |
| 封裝： | MS-013AE, SOIC-28 |
| 文件頁數(shù)： | 72/180頁 |
| 文件大?。?/td> | 2412K |
| 代理商： | MC68HRC98JL3EMDW |
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MC68HC908JL3E Family Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
163
A.5.6 Memory Characteristics
The Flash memory can only be read at an operating voltage of 2.2 to 5.5V. Program and erase are
achieved at an operating voltage of 2.7 to 5.5V. The program and erase parameters in Table A-6 are for
VDD = 2.7 to 5.5V only.
Table A-6. Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
Flash program bus clock frequency
—
1
—
MHz
Flash read bus clock frequency
fRead
(1)
1. fRead is defined as the frequency range for which the Flash memory can be read.
32k
8M
Hz
Flash page erase time
tErase
(2)
2. If the page erase time is longer than tErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the Flash mem-
ory.
1—
ms
Flash mass erase time
tMErase
(3)
3. If the mass erase time is longer than tMErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the Flash
memory.
4—
ms
Flash PGM/ERASE to HVEN set up time
tnvs
10
—
μs
Flash high-voltage hold time
tnvh
5—
μs
Flash high-voltage hold time (mass erase)
tnvhl
100
—
μs
Flash program hold time
tpgs
5—
μs
Flash program time
tPROG
30
40
μs
Flash return to read time
trcv
(4)
4. trcv is defined as the time it needs before the Flash can be read after turning off the high voltage charge pump, by clearing
HVEN to 0.
1—
μs
Flash cumulative program hv period
tHV
(5)
5. tHV is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
tHV must satisfy this condition: tnvs + tnvh + tpgs + (tPROG × 32) ≤ tHV max.
—4
ms
Flash row erase endurance(6)
6. The minimum row endurance value specifies each row of the Flash memory is guaranteed to work for at least this many
erase / program cycles.
—
10k
—
cycles
Flash row program endurance(7)
7. The minimum row endurance value specifies each row of the Flash memory is guaranteed to work for at least this many
erase / program cycles.
—
10k
—
cycles
Flash data retention time(8)
8. The Flash is guaranteed to retain data over the entire operating temperature range for at least the minimum time specified.
—
10
—
years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MC9S12A128BCFU | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MC68HSC705C8ACP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MC68HSC705C8ACS | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MC68HSC705J1ACDW | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MC68HSC705J1ACP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8 BIT MCU, 64 BYTES RAM - Bulk |
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