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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC68HLC908JL3CFA |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP48 |
| 封裝： | LQFP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 123/235頁 |
| 文件大?。?/td> | 1497K |
| 代理商： | MC68HLC908JL3CFA |
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Electrical Specifications
Memory Characteristics
MC68H(R)C908JL3E/JK3E/JK1E — Rev. 1.0
Technical Data
MOTOROLA
Electrical Specifications
209
18.14 Memory Characteristics
Table 18-11. Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
FLASH program bus clock frequency
—
1
—
MHz
FLASH read bus clock frequency
fRead
(1)
NOTES:
1. fRead is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
32 k
8 M
Hz
FLASH page erase time
tErase
(2)
2. If the page erase time is longer than tErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the
FLASH memory.
1
—
ms
FLASH mass erase time
tMErase
(3)
3. If the mass erase time is longer than tMErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of
the FLASH memory.
4
—
ms
FLASH PGM/ERASE to HVEN set up time
tnvs
10
—
s
FLASH high-voltage hold time
tnvh
5
—
s
FLASH high-voltage hold time (mass erase)
tnvh1
100
—
s
FLASH program hold time
tpgs
5
—
s
FLASH program time
tPROG
30
40
s
FLASH return to read time
trcv
(4)
4. trcv is defined as the time it needs before the FLASH can be read after turning off the high voltage charge pump,
by clearing HVEN to logic 0.
1
—
s
FLASH cumulative program hv period
tHV
(5)
5. tHV is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
tHV must satisfy this condition: tnvs + tnvh + tpgs + (tPROG × 32) ≤ tHV max.
—
4ms
FLASH row erase endurance(6)
6. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least
this many erase / program cycles.
—
10 k
—
cycles
FLASH row program endurance(7)
7. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least
this many erase / program cycles.
—
10 k
—
cycles
FLASH data retention time(8)
8. The FLASH is guaranteed to retain data over the entire operating temperature range for at least the minimum
time specified.
—
10
—
years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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