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參數(shù)資料
| 型號： | MC68HC908QY8VPE |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP16 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, DIP-16 |
| 文件頁數(shù)： | 162/236頁 |
| 文件大?。?/td> | 2921K |
| 代理商： | MC68HC908QY8VPE |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁當(dāng)前第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁
FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QB8 Data Sheet, Rev. 2
Freescale Semiconductor
31
2.6 FLASH Memory (FLASH)
The FLASH memory is intended primarily for program storage. In-circuit programming allows the
operating program to be loaded into the FLASH memory after final assembly of the application product.
It is possible to program the entire array through the single-wire monitor mode interface. Because no
special voltages are needed for FLASH erase and programming operations, in-application programming
is also possible through other software-controlled communication paths.
This subsection describes the operation of the embedded FLASH memory. The FLASH memory can be
read, programmed, and erased from the internal VDD supply. The program and erase operations are
enabled through the use of an internal charge pump.
The minimum size of FLASH memory that can be erased is 64 bytes; and the maximum size of FLASH
memory that can be programmed in a program cycle is 32 bytes (a row). Program and erase operations
are facilitated through control bits in the FLASH control register (FLCR). Details for these operations
appear later in this section.
NOTE
An erased bit reads as a 1 and a programmed bit reads as a 0. A security
feature prevents viewing of the FLASH contents.(1)
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM =1 or ERASE =1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescale’s strategy is to make reading or copying the FLASH difficult
for unauthorized users.
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC68HC908QB8MDWE | 8-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16 |
| MC68HC908QB8MDTE | 8-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16 |
| MC68HC908QB4CPE | 8-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP16 |
| MC68HC908QL3MDW | 8-BIT, FLASH, 2 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16 |
| MC68HC908QL2VDW | 8-BIT, FLASH, 2 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16 |
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