參數(shù)資料
型號： MC68HC908PT48CFU
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 4 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
封裝： PLASTIC, LQFP-80
文件頁數(shù)： 65/352頁
文件大小： 2846K
代理商： MC68HC908PT48CFU
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48-Kbyte FLASH Memory
FLASH 2 Control Register
MC68HC(9)08PT48 — Rev. 2.0
Advance Information
MOTOROLA
48-Kbyte FLASH Memory
157
NON-DISCLOSURE
AGREEMENT
REQUIRED
In step 4 of the erase operation in 10.10 FLASH Erase Operation,
the upper addresses are latched and used to determine the location
of the block to be erased. For the full array, the only requirement is
that the target address points to any byte in this array. Writing to any
address in the array will enable the erase.
HVEN — High-Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the
memory for either program or erase operation. It can only be set if
either PGM or ERASE is set.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MARG — Program Margin Control Bit
This read/write bit configures the memory for a program margin
operation. It cannot be set if the HVEN bit is set, and if it is set when
HVEN is set, it will return to 0 automatically.
1 = Margin operation selected
0 = Margin operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. It is
interlocked with the PGM bit such that both bits cannot be set to 1 at
the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. It is
interlocked with the ERASE bit such that both bits cannot be equal to
1 or set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
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PDF描述
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參數(shù)描述
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