參數(shù)資料
型號(hào)： MBRS10100CT
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 280K
代理商： MBRS10100CT
Voltage
45 to 100 V
Current
10 A
May - 09
VF
Max. forward voltage drop
at IF = 5 A
IR
Max. Instantaneous reverse
current at VR = VRRMax
Rthj-C Typical Thermal Resistance
Tc = 125 °C
Tc = 25 °C
Peak recurrent reverse voltage (V)
Maximum RMS voltage (V)
Maximum DC blocking voltage (V)
Maximum average Forward current
(both diodes conducting)
VRRM
VRMS
VDC
IF (AV)
Tj
Tstg
Operating temperature range
Storage temperature range
65 to + 175 °C
IFSM
8.3 ms. peak forward surge current
(Jedec Method)
10 A
120 A
65 to + 150 °C
60
42
60
IRRM
Peak repetitive reverse surge current
0.5 A
High current capability
The plastic material
U/L recognition 94 V-0
Terminals: Leads solderable per
MIL-STD202
Low forward Voltage drop
MBRS
1060CT
MBRS10CT
Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134
Electrical Characteristics
Common Cathode
Suffix "C"
D2PAK
100
70
100
MBRS
10100CT
10 Amp. Schottky Barrier Rectifier
45
31
45
MBRS
1045CT
Tc = 125 °C
0.70 V
0.57 V
0.80 V
0.65 V
0.85 V
0.75 V
0.10 mA
Max. forward voltage drop
at IF = 10 A
Tc = 25 °C
Tc = 125 °C
0.98 V
0.88 V
10 mA
2.0 °C/W
1
2
3
2
2
1
3
Case
15 mA
5.0 mA
at TC = 125 °C
Metal silicon junction, majority carrier
conduction
150
105
150
MBRS
10150CT
MBRS
1060CT
MBRS
10100CT
MBRS
1045CT
MBRS
10150CT
0.80 V
0.67 V
0.90 V
0.75 V
0.95 V
0.85 V
0.88 V
0.78 V
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