參數(shù)資料
型號: MBRF30100CT
廠商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 整流器
英文描述: 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 150K
代理商: MBRF30100CT
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
MBRF30100CT
FIG.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
175
CASE TEMPERATURE, ( ℃)
A
V
E
R
A
G
E
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
,
(A
)
FIG.2- MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE
CURRENT
0
50
100
150
200
250
300
1
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
P
E
A
K
F
O
R
W
A
R
D
S
U
R
G
E
C
U
R
E
N
T
,
(A
)
FIG.3- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
1
10
100
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
,
(A
)
FIG.4- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
REVERSE VOLTAGE, (V)
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
,
(p
F
)
FIG.5- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
20
40
60
80
100
120
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (V)
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,
(m
A
)
FIG.6- Conduction losses vs. average current
δ=1
δ=0.5
δ=0.2
δ=0.1
δ=0.05
0
5
10
15
0
5
10
15
20
IF(av), (A)
Equation use for evaluate the maximum conduction losses :
P = 0.557 * IF(AV) + 0.0064*IF
2
(RMS)
P
,
(W
)
Tj=25°C
Tj=25°C, f=1MHz
Tj=125°C
T
tp
tp/T=50%
8.3ms Single Half Sine-Wave
Tj=125°C
Tj=25°C
T
tp
δ= tp/T
Rthj-C=4.5°C/W
Rthj-C=3.5°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRF30150CT 30 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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MBRF30U100CTA 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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