參數(shù)資料
型號(hào)： MBR3035S-E3/4W
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 381K
代理商： MBR3035S-E3/4W
Vishay General Semiconductor
M3035S & M3045S
Document Number 88952
20-Jan-06
www.vishay.com
1
TO-220AB
1
2
3
1
2
CASE
3
Schottky Barrier Rectifier
FEATURES
Guardring for overvoltage protection
Lower power losses, high efficiency
Low forward voltage drop
High forward surge capability
High frequency operation
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage, high frequency rectifier of
switching mode power supplies, freewheeling diodes,
dc-to-dc converters or polarity protection applications.
MECHANICAL DATA
Case: TO-220AB
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade
Polarity: As marked
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
IF(AV)
30 A
VRRM
35 V, 45 V
IFSM
200 A
VF at IF = 30 A
0.61 V
TJ max.
150 °C
Note:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
M3035S
M3045S
UNIT
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
35
45
V
Maximum average forward rectified current (see Fig. 1)
IF(AV)
30
A
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
200
A
Peak repetitive reverse current per leg at tp = 2 s, 1 kHz
IRRM
2.0
A
Voltage rate of change (rated VR)
dv/dt
10000
V/s
Operating junction temperature range
TJ
- 65 to + 150
°C
Storage temperature range
TSTG
- 65 to + 175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
TYP.
MAX.
UNIT
Maximum instantaneous
forward voltage (1)
at IF = 15 A
at IF = 30 A
TJ = 25 °C
VF
0.54
0.65
-
0.70
V
at IF = 15 A
at IF = 30 A
TJ = 125 °C
0.46
0.61
-
0.66
Maximum instantaneous
reverse current at rated VR
(1)
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
IR
40
26
200
55
A
mA
Typical junction capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
980
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR3060PTL 30 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR3045PTL 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR3060 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR350TRPBF 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR360RL 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR3035W 制造商:MCC 制造商全稱(chēng):Micro Commercial Components 功能描述:30 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts
MBR3035WT 功能描述:肖特基二極管與整流器 30 Amp 35 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR3035WT-N3 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 15 A
MBR3035WTPBF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 15A TO247AC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):497-10107-2
MBR3035WTPBF_12 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 15 A
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