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參數(shù)資料
| 型號： | MBR1100G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Axial Lead Rectifier |
| 中文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 59-10, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | MBR1100G |
MBR1100
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
(See Note 4)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
R
JA
See Note 3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(i
F
= 1 A, T
L
= 25
°
C)
(i
F
= 1 A, T
L
= 100
°
C)
V
F
0.79
0.69
V
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Rated dc Voltage (Note 2)
(T
L
= 25
°
C)
(T
L
= 100
°
C)
Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle
≤
2.0%.
i
R
0.5
5.0
mA
2.
Figure 1. Typical Forward Voltage
Figure 2. Typical Reverse Current
Figure 3. Current Derating
(Mounting Method 3 per Note 3)
Figure 4. Power Dissipation
0.6
0.9
0
v
F
, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
20
10
2.0
5.0
1.0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
60
90
0
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
120
160
0
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
4.0
3.0
2.0
1.0
0
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
1.0
0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
2.0
140
iF
I
R
I
PF
0.5
0.2
0.1
0.3
0.1 0.2
0.4 0.5
0.7 0.8
70
80
10
20
30
40
50
0.4
1.0
20
40
60
80
100
3.0
4.0
5.0
0.05
0.02
1.1
1.4
1.0
1.2 1.3
100
,
4.0
2.0
10
20
100
40
200
1 K
400
200
180
,
F
SQUARE WAVE
dc
SQUARE WAVE
dc
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
T
J
= 150
°
C
125
°
C
100
°
C
The curves shown are typical for the highest voltage
device in the voltage grouping. Typical reverse current for
lower voltage selections can be estimated from these
same curves if V
R
is sufficiently below rated V
R
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR1100RLG | Axial Lead Rectifier |
| MBR120ESFT1G | Surface Mount Schottky Power Rectifier |
| MBR120ESFT3G | Surface Mount Schottky Power Rectifier |
| MBR120LSFT1G | Surface Mount Schottky Power Rectifier |
| MBR120LSFT3G | Surface Mount Schottky Power Rectifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBR1100-M3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1 A |
| MBR1100RL | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MBR1100RLG | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MBR1100TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MBR1100TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Schottky Rectifier |
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