參數(shù)資料
型號： MBN1200D33C
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 1200 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-9
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 307K
代理商： MBN1200D33C
2000
500
1000
1500
Switching
Time,
td(on),
tr,
td(off),
tf,trr
(m
s)
Forward
Current,
I
F(A)
Collector Current, IC (A)
Switching time vs. Collector current
Forward Voltage, VF (V)
Forward voltage of free-wheeling diode
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
PDE-N1200D33C-1
0
500
1000
1500
3.5
2.5
3.0
2.0
1.0
1.5
0.0
0.5
TYPICAL
Turn-on
Loss
Eon
(J/pulse)
Collector Current, IC (A)
Turn-on Loss vs. Collector Current
3.0
1.5
2.0
2.5
1.0
0.5
0
500
1500
1000
0
TYPICAL
0
1
3
4
2
5
0
TYPICAL
VGE
=0V
Tc
=25°C
Tc
=125°C
[Conditions]
VGE
=±15V, RG=3.3W
VCC
=1650V, Lp@100nH,
TC
=125°C, Inductive Load
Cies,
Coes,
Cres(nF)
trr
td(on)
td(off)
tf
tr
Eon(full)
Eon(10%)
t1
t3
t4
0
10%
VGE
IC
IC VCE dt
Eon(10%)
=
Eon(full)
=
VCE
0
t2
.
2000
0
4
2
6
8
10
500
1000
1500
0
TYPICAL
Collector
Current,
Ic
(A)
Collector
Current,
Ic
(A)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector current vs. Collector to Emitter voltage
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector current vs. Collector to Emitter voltage
9V
7V
5V
TC
=25°C
2000
0
4
2
6
8
10
500
1000
1500
0
9V
7V
5V
TYPICAL
TC
=125°C
TYPICAL
1000
100
1
10
100
10
1
0.1
Tc
=25°C
[Conditions]
VCC
=1650V
Lp
@100nH
RG
=3.3W
VGE
=±15V
TC
=125°C
Inductive Load
13V 11V
VGE
=15V
13V
11V
VGE
=15V
Cies
Coes
Cres
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBN1200E33C 1200 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT
MBN1200GR12A 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MBN1200GR12A 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MBN1200GR17 IGBT
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參數(shù)描述
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