參數(shù)資料
型號： MBN1200D33A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 1200 A, 3300 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 68K
代理商： MBN1200D33A
2000
04
26
8
10
500
1000
1500
2000
500
1000
1500
0
TYPICAL
Collector
Current,
Ic
(A)
Collector
Current,
Ic
(A)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector current vs. Collector to Emitter voltage
Switching
Time
,td(on),
tr
,td(off),
tf
,trr
(
s)
F
orw
ard
Current,
I
F
(A)
Collector Current, IC(A)
Switching time vs. Collector current
Forward Voltage, VF (V)
Forward voltage of free-wheeling diode
Cies
,Coes
,Cres(nF)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector current vs. Collector to Emitter voltage
PDE-N1200D33A-0
13V 11V
Eon(full)
Eon(10%)
trr
9V
7V
5V
Tc
=25°C
VGE
=15V
2000
04
26
8
10
500
1000
1500
0
13V
11V
9V
7V
5V
VGE
=15V
TYPICAL
Tc
=125°C
5.0
4.5
3.5
2.5
4.0
3.0
2.0
1.0
1.5
0
500
1000
1500
0.0
0.5
TYPICAL
T
u
rn-on
Loss
Eon
(J/pulse)
Collector Current IC (A)
Turn-on Loss vs. Collector Current
2.0
1.5
1.0
0.5
0
500
1500
1000
0
TYPICAL
01
3
4
25
0
TYPICAL
VGE
=0
Tc
=25°C
Tc
=125°C
1000
100
1
10
100
10
1
0.1
TYPICAL
Cies
Coes
Cres
Tc
=25°C
[Conditions]
VCC
=1650V
Lp
≈100nH
RG
=3.3
VGE
=±15V
Tc
=125°C
Inductive Load
[Conditions]
VGE
=±15V, RG=3.3
VCC
=1650V, Lp≈100nH,
Tc
=125°C, Inductive Load
td(on)
td(off)
tf
tr
t1
t3
t4
0
10%
VGE
IC
IC VCE dt
Eon(10%)
=
Eon(full)
=
VCE
0
t2
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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