參數(shù)資料
型號: MBM29F200TC-90PFTR
廠商: FUJITSU LTD
元件分類: DRAM
英文描述: 2M (256K X 8/128K X 16) BIT
中文描述: 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝: PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
文件頁數(shù): 5/48頁
文件大小: 508K
代理商: MBM29F200TC-90PFTR
5
MBM29F200TC
-55/-70/-90
/MBM29F200BC
-55/-70/-90
I
PRODUCT LINE UP
I
BLOCK DIAGRAM
Part No.
MBM29F200TC/MBM29F200BC
Ordering Part No.
V
CC
= 5.0 V ± 5%
-55
V
CC
= 5.0 V ± 10%
-70
-90
Max. Address Access Time (ns)
55
70
90
Max. CE Access Time (ns)
55
70
90
Max. OE Access Time (ns)
30
30
35
V
SS
V
CC
WE
CE
OE
A
0
to A
16
Erase Voltage
Generator
DQ
0
to DQ
15
State
Control
Command
Register
Program Voltage
Generator
Low V
CC
Detector
Address
Latch
X-Decoder
Y-Decoder
Cell Matrix
Y-Gating
Chip Enable
Output Enable
Logic
Data Latch
Input/Output
Buffers
STB
STB
Timer for
Program/Erase
A
-1
BYTE
RESET
RY/BY
Buffer
RY/BY
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PDF描述
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