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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F200TC-90PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 4/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 508K |
| 代理商： | MBM29F200TC-90PFTR |
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4
MBM29F200TC
-55/-70/-90
/MBM29F200BC
-55/-70/-90
I
FLEXIBLE SECTOR-ERASE ARCHITECTURE
One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and three 64K bytes
Individual-sector, multiple-sector, or bulk-erase capability
Individual or multiple-sector protection is user definable.
3FFFFH
3BFFFH
39FFFH
37FFFH
2FFFFH
1FFFFH
0FFFFH
00000H
16K byte
8K byte
8K byte
32K byte
64K byte
64K byte
64K byte
MBM29F200TC Sector Architecture
3FFFFH
2FFFFH
1FFFFH
0FFFFH
07FFFH
05FFFH
03FFFH
00000H
64K byte
64K byte
64K byte
32K byte
8K byte
8K byte
16K byte
MBM29F200BC Sector Architecture
(
×
8)
1FFFFH
1DFFFH
1CFFFH
1BFFFH
17FFFH
0FFFFH
07FFFH
00000H
(
×
16)
1FFFFH
17FFFH
0FFFFH
07FFFH
03FFFH
02FFFH
01FFFH
00000H
(
×
16)
(
×
8)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F400BA | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲器) |
| MBM29F400TA | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲器) |
| MBM29F400TC-90PFTN | Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F400BC-55 | PP75-180-RETAINING PIN RoHS Compliant: Yes |
| MBM29F400BC-55PF | Cable clamp hardware pak, 20 A, black, clamp termination, for plug, 4 pole |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F400BC-55 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PF | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PFTN-S# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F400BC-55PFTN-SFL(E1) | 制造商:Spansion 功能描述: |
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